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中国铸造芯片强国迎突破进展,动摇美日韩主导地位

芯片对于一国来说显得至关重要,这些年国家开始大举发展国产芯片。过去芯片一直被韩国、美国等垄断,在议价、出货量方面显得被动不堪。现在我国开始发展芯片,希望能够满足本国市场70%的需求。现在引来新的消息,我国3D NAND存储器研发项目取得新进展,32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。

目前市场上许多固态硬盘(SSD)都已经转向3D NAND闪存。因为,不论是性能,还是容量,或者是使用寿命,3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多。而且,厂商也会借此来降低生产成本,以提高产量。事实上,在转向3D NAND生产方面,实力最强的仍以韩国三星领先,东芝(Toshiba)/ Sandisk与SK海力士其次,我国还是空白。

三星始作俑者导致存储器涨价,三星霸主地位使得三星有能力主导价格提升,弥补Note 7爆炸导致的巨额损失。由于智能手机、SSD市场需求强烈,闪存、内存等存储芯片最近都在涨价,这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。2015年中,国家级存储芯片基地确定落户武汉市,由武汉新芯科技公司负责建设,现在启动的是第一期,主要目标是生产3D NAND闪存,2018年将启动第二期建设,规划是上DRAM内存芯片,2019年启动第三期建设,主要目标是代工服务,产能也会越来越大。过去中国缺少NAND闪存自主生产能力是个大问题,现在问题解决了已经在布局了。

外媒报道称,中国这样的新一轮大规模国产化攻势或将动摇以美国为首随后是韩国、日本和台湾地区主导的世界市场。在钢铁、船舶建造、太阳能面板之后,中国大陆这个亚洲巨头又打算通过巨额投资的模式再一次击晕对手。不过直到目前,三星和台积电都处于业内领先位置。这些企业是在上世纪80年代实施的发展战略的成果。现在3D NAND存储器芯片研发系列工作得到了国家集成电路产业基金、紫光控股、湖北省国芯投资、湖北省科投的大力支持。

大家都看得到,中国做存储,做NAND存储,是必然的。消息是振奋人心的,但道路可预见也是坎坷崎岖的。中国做存储是必然的,区别只是或早或晚,所有一切都是从零开始,今天不去做,明天碰到的困难还是那么多。期待中国企业可以在存储行业占一席之地的未来。

记忆体业者自相残杀,等到中国厂商进入市场,情况将急转直下。报告称,中国可能是足以颠覆市场的竞争者,他们财力雄厚,等到供给上线后,市况将惨不忍睹。武汉新芯(XMC)的3D NAND技术大约落后领先厂商4~5年,他们打算狂烧资本加紧追赶,等到量产之后,市场供给过剩将更加恶化。外媒报告称,中国可能是足以颠覆市场的竞争者,目前国产3D闪存还在奋力追赶竞争者。

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